| 发明名称 | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种从包含低k介电材料的衬底中清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使衬底与包含H<SUB>2</SUB>SiF<SUB>6</SUB>或HBF<SUB>4</SUB>、有机溶剂、胺、腐蚀抑制剂和水的成分相接触，所述成分能够使后蚀刻残留物片状脱落并使氧化物损失最小化，并且所述成分具有低于7的pH。 | ||
| 申请公布号 | CN100442449C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200480011930.1 | 申请日期 | 2004.05.03 |
| 申请人 | EKC技术公司 | 发明人 | M·切尔纳特;S·李 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);C09K3/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种从包含低k介电材料的衬底清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使所述衬底与包含：(a)H2SiF6；(b)有机溶剂；(c)胺；(d)腐蚀抑制剂和(e)水的成分在足以导致所述成分去除残留物的温度下相接触一段时间，其中所述成分能使后蚀刻残留物片状脱落并能使氧化物损失最小化，并且其中所述成分具有低于7的pH。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||