发明名称 | AD转换器 | ||
摘要 | 本发明提供一种提高AD变换的精度的AD转换器。本发明的AD转换器具有:在每一个连接部中产生用于将模拟值变换为数字值的基准电压的串联电阻体;和并联组合PMOSFET、NMOSFET而构成、设于所述连接部的半导体开关,在所述PMOSFET所具有的第一栅电极上施加第一电压而导通,且在所述NMOSFET所具有的第二栅电极上施加比所述第一电压还高的第二电压而导通,根据比较所述半导体开关所输出的所述基准电压与所述模拟值的结果,其特征在于,具有进行将施加在所述第一栅电极上的所述第一电压降压或将施加在所述第二栅电极上的所述第二电压升压的至少任意一方的控制电路。 | ||
申请公布号 | CN100442667C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
申请号 | CN200410090101.9 | 申请日期 | 2004.11.02 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 川田刚嗣 |
分类号 | H03M1/38(2006.01) | 主分类号 | H03M1/38(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1、一种AD转换器,其中具有:串联电阻体,其由多个电阻串联连接而构成,在所述多个电阻的各连接部中产生基准电压,该基准电压用于将模拟值电压变换为数字值电压;和半导体开关,其并联组合PMOSFET、NMOSFET而构成,并与所述各连接部一对一连接设置,在所述PMOSFET所具有的第一栅电极上施加第一电压而导通,且在所述NMOSFET所具有的第二栅电极上施加比所述第一电压还高的第二电压而导通,根据比较所述半导体开关所输出的所述基准电压与所述模拟值电压的结果,生成所述数字值电压,其特征在于,该AD转换器还具备控制电路,该控制电路具有:第一反相器,其输入用来使所述半导体开关导通的控制电压,使该输入的极性颠倒后输出并施加在所述第一栅电极上;第二反相器,其输入所述第一反相器的输出,使该输入的极性颠倒后输出并施加在所述第二栅电极上;和在所述第一反相器的负极侧施加从所述第一电压降压的第三电压的降压电路、或在所述第二反相器的正极侧施加从所述第二电压升压的第四电压的升压电路的至少一方。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |