HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO<SUB>2</SUB>纳米掩膜及方法

摘要

本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO₂纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO₂层，然后用酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO₂纳米粒子的点阵分布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO₂层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适合于批量生产时采用。

主权项

1、一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中的二氧化硅纳米点阵掩膜，其特征在于所述的氧化硅纳米点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜，它是沉积在规则的网状多孔阳极氧化铝薄膜上；然后用酸溶液去除网状多孔阳极氧化铝薄膜形成的；所述的网状多孔阳极氧化铝薄膜是由沉积在作为模板的GaN外延层上蒸发的金属铝薄层，经电化学腐蚀和酸性溶液浸泡形成的。