| 发明名称 | GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底 | ||
| 摘要 | GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN101319402A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200810109546.5 | 申请日期 | 2008.06.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 松本直树;佐藤史隆;中畑成二;冈久拓司;上松康二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B25/20(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种GaN晶体的生长方法，其用于在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体，该方法包括以下步骤：制备所述GaN籽晶衬底，所述GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使所述GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于所述GaN晶体的热膨胀系数，以及在所述GaN籽晶衬底上生长所述GaN晶体至至少1mm的厚度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||