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发明名称 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET HAVING A VOLTAGE SUSTAINING REGION THAT INCLUDES DOPED COLUMNS FORMED BY TRENCH ETCHING USING AN ETCHANT GAS THAT IS ALSO A DOPING SOURCE
摘要
申请公布号 EP1468453(A4) 申请公布日期 2008.12.10
申请号 EP20020806284 申请日期 2002.12.30
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 BLANCHARD, RICHARD, A.;HSHIEH, FWU-IUAN
分类号 H01L21/331;H01L29/76;H01L21/223;H01L21/3065;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/732;H01L29/78 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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