| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 通过使用内插器将包括若干层叠式DRAM芯片的COC DRAM安装在主板上。该内插器包括Si单元和PCB。该Si单元包括Si基板和绝缘层单元，该绝缘层中安装了配线。该PCB包括用于在该Si单元中的配线的参考面。在芯片组和该COC DRAM之间的配线布局对每一种信号是相同的。因此，提供了一种使得高速操作、低功耗和大容量成为可能的存储系统。 | ||
| 申请公布号 | CN100442503C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200410061540.7 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 西尾洋二;船场诚司 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01);H01L25/07(2006.01);H01L27/108(2006.01);G06F13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L25/065(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，其包括：其上安装了芯片组的主板：以及安装在所述主板上，并与所述芯片组连接的存储器单元，其中，包括若干层叠的DRAM芯片的层叠式DRAM被用作为所述存储器单元，并且内插器被用于将所述层叠式DRAM安装在所述主板上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||