| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件制造方法包括如下步骤：在半导体衬底34上形成栅电极54p；在栅电极54p两侧的半导体衬底34中形成源极/漏极扩散层64p；在源极/漏极扩散层64p中埋入硅锗层100b；在硅锗层100b的上部形成非晶层101；在非晶层101上形成镍膜66；以及进行热处理以使镍膜66与非晶层101互相反应从而在硅锗层100b上形成硅化物膜102b。由于在与镍膜66反应的非晶层101中没有晶界，因此硅化均匀进行。由于非晶层101中没有晶面，从而可防止形成尖峰状的Ni(Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>N</SUB>)<SUB>2</SUB>晶体。因此，即便当通过使用薄镍膜66硅化硅锗层100b时，也可以具有低薄层电阻，并且可以抑制结漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN100442464C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200510107112.8 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 川村和郎;岛宗洋介 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在该栅电极两侧的半导体衬底中形成源极/漏极扩散层；在该栅电极两侧的源极/漏极扩散层中形成凹槽；在该凹槽中埋入硅锗层；在该硅锗层的上部形成非晶层；在该非晶层上形成镍膜；以及进行热处理，以使该镍膜与该非晶层互相反应，从而在该硅锗层上形成硅化物膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||