| 发明名称 | 光接收装置及其制造方法和包括该装置的光电集成电路 | ||
| 摘要 | 公开了一种光接收装置及其制造方法，和包括该光接收装置的光电集成电路。该光接收装置包括：衬底；形成在衬底上的本征区；形成至本征区中较浅深度的第一区；和形成至本征区中较深深度且与第一区隔开的第二区，其中第一和第二区被掺杂有不同导电类型。该光接收装置可缩短具有低迁移率的空穴的渡越时间。因此，不会出现响应延迟，于是，可以实现高响应速度。 | ||
| 申请公布号 | CN100442526C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200410006630.6 | 申请日期 | 2004.02.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金俊永;崔秉龙;李银京 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L31/00(2006.01);H04B10/02(2006.01);G11B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种光接收装置，包括：一衬底；一本征区，形成在该衬底上；一第一区，形成至该本征区中较浅的深度；和一第二区，形成至该本征区中较深的深度且与该第一区形成距离，其中该第一和第二区掺杂有不同导电类型，其中在用于形成所述第一区的所述本征区的表面部分上形成有具有多个开口的不连续控制膜图形，该控制膜图形的开口用于将该第一区形成至较浅的深度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||