发明名称 |
图像感测器微透镜结构的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种图像感测器微透镜结构的制作方法,首先提供至少包含有平坦层的半导体基底,进行第一光刻工艺,在该平坦层上形成第一组微透镜凸块,随后进行第一烘烤工艺形成第一组微透镜结构。紧接着进行第一表面处理,以固化(harden)该第一组微透镜结构的表面。而后进行第二光刻工艺,在该平坦层上形成第二组微透镜凸块;随后进行第二烘烤工艺形成第二组微透镜结构。 |
申请公布号 |
CN101320103A |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
申请号 |
CN200710108273.8 |
申请日期 |
2007.06.07 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
余政宏 |
分类号 |
G02B3/00(2006.01);H01L21/71(2006.01);H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
G02B3/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;进行第一光刻工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;进行第一表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;进行第二光刻工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |