发明名称 图像感测器微透镜结构的制作方法
摘要 本发明公开了一种图像感测器微透镜结构的制作方法,首先提供至少包含有平坦层的半导体基底,进行第一光刻工艺,在该平坦层上形成第一组微透镜凸块,随后进行第一烘烤工艺形成第一组微透镜结构。紧接着进行第一表面处理,以固化(harden)该第一组微透镜结构的表面。而后进行第二光刻工艺,在该平坦层上形成第二组微透镜凸块;随后进行第二烘烤工艺形成第二组微透镜结构。
申请公布号 CN101320103A 申请公布日期 2008.12.10
申请号 CN200710108273.8 申请日期 2007.06.07
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 余政宏
分类号 G02B3/00(2006.01);H01L21/71(2006.01);H01L27/146(2006.01) 主分类号 G02B3/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;进行第一光刻工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;进行第一表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;进行第二光刻工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。
地址 中国台湾新竹科学工业园区