| 发明名称 | 通过设置假通孔而增加金属化层的附着力的技术 | ||
| 摘要 | 通过电性无功能金属区(electrically non－functional metal region)下方设置假通孔(dummy via)，可明显减少在后续工艺中的金属脱层(delamination)的风险。再者，在一些实施例中，通过设置假金属区，甚至可更增强所获得的金属化层的机械强度，该假金属区可作用为用于上层无功能金属区的固定件(anchor)。此外，亦可设置假通孔与电性作用金属线和金属区结合，因而亦增强其机械稳定性和电性效能。 | ||
| 申请公布号 | CN101322238A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200680045080.6 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | R·里希特;M·沙勒;E·克劳斯;E·郎格尔 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括下列步骤：在半导体器件(200，300)的第一介电层(205，305)的第一部分(205L，305L)中形成多个通孔(213，313)，其中所述的多个通孔(213，313)中的至少一些为电性无功能通孔(213B，313B)；以及在所述的第一介电层(205，305)的第二部分(205U，305U)中形成第一金属区(212，312)，所述的第二部分(205U，305U)位于所述的第一部分(205L)之上，所述的第一金属区(212，312)连接至所述的电性无功能通孔(213B，313B)的至少其中一个。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||