发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种显示装置,能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件,在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极,且具有TFT元件,该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成,上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面,上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。
申请公布号 CN101320181A 申请公布日期 2008.12.10
申请号 CN200810098644.3 申请日期 2008.06.03
申请人 株式会社日立显示器 发明人 境武志;宫泽敏夫;海东拓生;三宅秀和
分类号 G02F1/1362(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) 主分类号 G02F1/1362(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种显示装置,具有绝缘基板和形成于该绝缘基板上的TFT元件,在上述绝缘基板的表面依次层叠有栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极,上述半导体层具有:由多晶半导体构成的有源层;和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层,上述接触层设于上述有源层的侧面。
地址 日本千叶县
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