发明名称 |
生产多晶硅的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种多晶硅的生产方法,用电加热硅棒,使SiHCl<SUB>3</SUB>在H<SUB>2</SUB>气氛中还原,所得到的硅在硅棒的表面上沉积生成多晶硅,所述的硅棒按特定的电阻率要求,事先在高纯硅中添加杂质,降低硅棒的电阻率,提高导电性,使硅棒在较低的电压下被击穿或使硅棒不需被击穿直接导电加热至所需的反应温度。使用本发明的生产方法能够避免使用12kV的高压电源,大大节约了生产成本。此外,当硅棒电阻率下降至成为导体,则可避免使用击穿电源装置,使硅棒在低至100V的电压下直接导电加热至反应所需的温度,避免了使用大型的高压变压器,简化了生产装置,降低了能耗,也提高了生产的安全性。 |
申请公布号 |
CN101319363A |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
申请号 |
CN200810040240.9 |
申请日期 |
2008.07.04 |
申请人 |
上海通用硅晶体材料有限公司 |
发明人 |
袁建中 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B28/14(2006.01);C30B25/00(2006.01);C01B33/03(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
上海开祺知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李兰英 |
主权项 |
1.一种多晶硅的生产方法,在还原炉中用电加热硅棒,使SiHCl3在H2气氛中还原,所得到的硅在硅棒的表面上沉积而生成多晶硅,其特征在于,在硅棒内加入杂质,降低电阻率,提高导电性。 |
地址 |
201900上海市浦东新区金藏路351号第32栋一楼 |