| 发明名称 | 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B)将籽晶按照籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长。本发明选用长X向线籽晶来达到控制晶体生长过程中选择性生长的速率问题，可采用粗糙化X面生长进一步延长籽晶X向长度，且生成晶体的X向折射率和电导率均匀性较普通助熔剂生长方法大为提高，生长成的晶体适于制作高质量光参量器件和PPKTP器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101319385A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200810105714.3 | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 烁光特晶科技有限公司 | 发明人 | 沈德忠;黄朝恩;师瑞泽;胡永岚;肖亚波;王国影;高山虎;葛世艳;苏贞珍;尹利君;王忠;何庭秋 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01);C30B29/14(2006.01);C30B9/00(2006.01);C30B11/14(2006.01) | 主分类号 | C30B29/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1、一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤：A)长X向片状籽晶制作：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中平行XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B)将籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长；所述生长熔液中KTP与磷酸盐助熔剂中的K6的比例可选择KTP∶K6为摩尔比0.7-2之间。 | ||
| 地址 | 100018北京市朝阳区东坝红松园一号 | ||