| 发明名称 | 具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。 | ||
| 申请公布号 | CN100442517C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200410102330.8 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李钟镐;姜虎圭;丁炯硕;都昔柱;金润奭 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一晶体管，该第一晶体管包括第一衬底区域，第一栅电极，以及位于第一衬底区域以及第一栅电极之间的第一栅极介质；以及第二晶体管，该第二晶体管包括第二衬底区域，第二栅电极，以及位于第二衬底区域以及第二栅电极之间的第二栅极介质；其中第一栅极介质包括第一高k层，第一高k层具有大于或等于8的介电常数，其中第二栅极介质包括第二高k层，第二高k层具有大于或等于8的介电常数，并且其中第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分，其中该第一栅极介质包括介电常数大于或等于8的第三高k层，且该第三高k层与该第二高k层具有相同的材料成分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||