| 发明名称 | 在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面，部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面，检测并判定该些个蚀刻路径深度。 | ||
| 申请公布号 | CN100442469C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200410092718.4 | 申请日期 | 2004.11.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈拓宇;李美彦;许永隆 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：在半导体元件表面上执行一微影制程来图案化一光阻以暴露出部分表面；部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该半导体元件表面；检测该些个蚀刻路径；以及判定该些受检测蚀刻路径深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||