| 发明名称 | 半导体存储装置的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。 | ||
| 申请公布号 | CN100442519C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200510125483.9 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 大西哲也;新村尚之;山崎信夫;涩谷隆广;中野贵司;田尻雅之;大西茂夫 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种交叉点结构的半导体存储装置，其特征在于：具备在同一方向上延伸的多个上部电极和在与上述上部电极的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极，在上述上部电极与上述下部电极之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极延伸的方式形成于上述上部电极各自的上述下部电极一侧。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||