| 发明名称 | 一种制备数据存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 磁存储元件(50)的铁磁数据层(54)形成有控制的成核位置(58)。磁随机存取存储(“MRAM”)器件包括这种磁存储元件(50)的阵列(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN100442384C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN03123133.0 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | J·H·尼克尔;M·巴塔查里亚 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种制备数据存储器件(10)的方法(114-116)，方法包括形成铁磁数据层(54)的阵列(12)，每层(54)具有第一和第二相邻区(58，60)，第一区(58)具有的转换阈值低于第二区(60)的转换阈值，第一区(58)小于第二区(60)，第一区(58)为数据层中的凹坑或数据层(54)上的突起。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||