半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置

摘要

一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的受激准分子激光(excimer laser)1；使从该受激准分子激光1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单晶半导体层10上的投射光学系6；将经过振幅调变过的光设为具有成为结晶生长的起点的光强度的光的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。

主权项

1.一种半导体薄膜的形成方法，其特征在于，在绝缘材料所构成的基层上形成非单晶半导体层，然后以光照射所述非单晶半导体层，并使所述光与所述基层相对运动，而使所述非单晶半导体层的其它的照射区域结晶化，包括以下步骤：使所述光的光强度分布均匀化；以所述光强度分布经均匀化后的光照射振幅调变光罩或移相器，使振幅以在所述光相对于所述基层相对运动的方向增加的方式进行振幅调变；将所述振幅经调变过的光投射在形成于所述基层上的所述非单晶半导体层上；在通过所述振幅调变光罩或移相器进行振幅调变所形成的所述光的照射面内设置温度低的点；以生成结晶生长的起点；以及沿着所述光相对于所述基层的相对运动方向形成结晶而形成单晶区。