无铅镥铋石榴石薄膜制备方法

摘要

无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu₂O₃和Bi₂O₃，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi₂O₃助熔剂。

主权项

1、无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一熔体制备：按预定义的摩尔比，准确称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后在1000℃-1050℃熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60-100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。