| 发明名称 | 形成介电薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在诸如半导体片等基材上沉积高介电常数介质膜的方法。在一个实施方案中，该方法涉及在基材上形成氮化物层。在可供选择的实施方案中，本发明涉及在半导体晶片(wafer)上形成金属氧化物或硅酸盐。当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先在基材上沉积钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN100442454C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200510004466.X | 申请日期 | 2001.09.19 |
| 申请人 | 马特森技术公司 | 发明人 | 萨吉·利维;罗宾·S·布卢姆;阿瓦沙伊·凯普坦 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/469(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种在半导体晶片上形成介质膜的方法，包括：在含氮气体存在下加热包含二氧化硅的晶片，以便在所述晶片上形成钝化层，其中用来形成钝化层的含氮气体包括氨气；接着，在气体前体存在下加热所述晶片，所述气体前体在所述晶片上形成包含金属氧化物或硅酸盐的介电层，所述介电层是在大于300℃的温度下形成的；和在退火气体存在下使所述介电层退火，所述退火气体包括惰性气体和含氧气体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||