| 发明名称 | 高介电常数栅介质PrAl<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>薄膜 | ||
| 摘要 | 一种材料技术领域的高介电常数栅介质二元复合氧化物PrAl<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>薄膜，包含的组分及重量百分比为：Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 1％～24％，其余为Pr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>。当Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>重量百分比为12％时，PrAlxOy与硅的界面层最薄，等效介电常数为25。本发明所得PrAlxOy薄膜为非晶薄膜，经800℃快速热处理5分钟仍保持非晶状态，结晶温度高，与硅片的界面稳定性好。PrAl<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>薄膜具有高介电常数和低漏电流的性质，不仅可用于MOSFET结构中的栅介质材料，也可用于射频电路和混合信号集成电路中MIM结构的绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN100442536C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200510030973.0 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 凌惠琴;陈寿面;李明;毛大立;杨春生 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01) | 主分类号 | H01L29/51(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1、一种高介电常数栅介质二元复合氧化物PrAlxOy薄膜，其特征在于，包含的组分及重量百分比为：Al2O3 1％～24％，其余为Pr2O3。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||