| 发明名称 | 等离子蚀刻法 | ||
| 摘要 | 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF<SUB>6</SUB>气体作为主要成分，里面添加了O<SUB>2</SUB>气体以及He气体。 | ||
| 申请公布号 | CN100442452C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200480035546.5 | 申请日期 | 2004.11.26 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥根充弘;广岛满;铃木宏之;三宅清郎;渡边彰三 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1、一种在处理室内对由Si构成的被处理体进行等离子蚀刻的方法，该等离子蚀刻法具有下述特征：将含有氟化合物气体以及稀有气体的蚀刻气体导入前述处理室内，向前述蚀刻气体施加27MHz以上频率的电力，使前述蚀刻气体等离子化，并对前述被处理体进行蚀刻，其中，前述稀有气体的量是前述蚀刻气体的总流量的80％以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||