| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板的修补方法以及薄膜的移除方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，适于对一薄膜晶体管阵列基板进行修补，其中该薄膜晶体管阵列基板具有多数个像素电极，且该些像素电极之间具有至少一残留物，使得该残留物两侧的该些像素电极由该残留物相互导通，该薄膜晶体管阵列基板的修补方法包括：施加至少一脉冲宽度介于1/20秒至1/4秒之间的脉冲光束于该残留物上，以移除至少部分该残留物，并使该残留物两侧的该些像素电极电性绝缘，其中脉冲光束的波长介于300nm至500nm。此薄膜晶体管阵列基板的修补方法可对修补的能量提供精确控制与微调，且此修补方法使得薄膜晶体管阵列基板的制程良率有所提升。 | ||
| 申请公布号 | CN100442479C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200610138507.9 | 申请日期 | 2004.04.28 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 来汉中 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈桢 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，适于对一薄膜晶体管阵列基板进行修补，其中该薄膜晶体管阵列基板具有多数个像素电极，且该些像素电极之间具有至少一残留物，使得该残留物两侧的该些像素电极由该残留物相互导通，该薄膜晶体管阵列基板的修补方法包括：施加至少一脉冲宽度介于1/20秒至1/4秒之间的脉冲激光束于该残留物上，以移除至少部分该残留物，并使该残留物两侧的该些像素电极电性绝缘，其中脉冲激光束的波长介于300nm至500nm。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||