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Ein Speicher mit diskreten Haftstellen umfasst eine Siliziumsubstratschicht, eine untere Dielektrikumsschicht auf der Siliziumsubstratschicht, eine Fulleren-Schicht auf der unteren Oxidschicht, eine obere Oxidschicht auf der Fulleren-Schicht und eine Gateschicht auf der oberen Oxidschicht; wobei die Fulleren-Schicht kugelförmige, elliptische oder endohedrale Fullerene umfasst, die als Ladungshaftstellen wirken.
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