发明名称 Silicon film dry etching method
摘要 A silicon film is dry etched by parallel plate type dry etching using a mixed gas including a fluorine gas and a chlorine gas.
申请公布号 US2008299778(A1) 申请公布日期 2008.12.04
申请号 US20080154947 申请日期 2008.05.28
申请人 CASIO COMPUTER CO., LTD. 发明人 TOSAKA HISAO
分类号 H01L21/302;B44C1/22 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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