Höheres Transistorleistungsvermögen von N-Kanaltransistoren durch Verwenden einer zusätzlichen Schicht über einer Doppelverspannungsschicht in einem Halbleiterbauelement

摘要

Durch Bilden eines zusätzlichen dielektrischen Materials, etwa eines Siliziumnitridmaterials, nach dem Strukturieren von dielektrischen Beschichtungen mit unterschiedlicher innerer Verspannung wird eine deutliche Steigerung des Leistungsverhaltens von n-Kanaltransistoren erreicht, während im Wesentlichen nicht zu einem Leistungsverlust des p-Kanaltransistors beitragen wird.