| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体器件上形成焊盘电极；(b)将有机电介质膜涂于该半导体器件的表面，以露出该焊盘电极的中心部分；(c)通过干蚀刻处理该焊盘电极的露出表面；以及(d)使用无氧干处理去除因用于表面处理的干蚀刻引起的、在有机电介质膜中产生的转化层。 | ||
| 申请公布号 | CN100440460C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200510082456.8 | 申请日期 | 2005.07.05 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 村田浩一;生云雅光;渡边英二 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：焊盘电极，设置于半导体晶片上的预定位置；有机电介质膜，覆盖该半导体晶片且露出该焊盘电极的中心部分；转化层，位于该有机电介质膜的表面区域；以及导体，连接到该焊盘电极；其中，所述转化层位于所述导体的周围，设置转化层去除区域以将该导体与相邻的导体相隔离，并且在该转化层去除区域过蚀刻该有机电介质膜，过蚀刻深度为10nm到100nm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||