| 发明名称 | 一种非易失性存储器及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器及其设计方法，包括提供源极、漏极和浮栅的多层，该多层包含为存储器提供互连线的多层金属层。其中至少两层金属层电容性耦合，为浮栅提供电容。通过本发明为用户提供了一套成本投入小、存储性能优越、基于现有逻辑工艺的非易失性存储器设计制造解决方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101315935A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200710099806.0 | 申请日期 | 2007.05.30 |
| 申请人 | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 | 发明人 | 朱一明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，包括提供源极、漏极和浮栅的多层，该多层包含为存储器提供互连线的多层金属层。其中至少两层金属层电容性耦合，为浮栅提供电容。 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 | ||