| 发明名称 | 可增进照光效能的内嵌式光抹除存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种可增进照光效能的内嵌式光抹除存储器，包括基底、存储器元件、多层介电层、多层顶盖层及至少三层金属层。基底包括存储器区与核心电路区。存储器元件包括选择栅极与浮置栅极，选择栅极与浮置栅极相邻配置于存储器区中的基底上。介电层配置于基底上且覆盖存储器元件，介电层中具有第一开口，且第一开口位于浮置栅极上方。各顶盖层分别配置于各介电层上。金属层配置于核心电路区中的介电层中。 | ||
| 申请公布号 | CN101315934A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200710108741.1 | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施泓林;蔡文静;黄裕华 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/112(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种可增进照光效能的内嵌式光抹除存储器，包括：基底，包括存储器区与核心电路区；存储器元件，包括选择栅极与浮置栅极，该选择栅极与该浮置栅极相邻配置于该存储器区中的该基底上；多层介电层，配置于该基底上且覆盖该存储器元件，该多层介电层中具有第一开口，且该第一开口位于该浮置栅极上方；多层顶盖层，各该顶盖层分别配置于各该介电层上；以及至少三层金属层，配置于该核心电路区中的该介电层中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||