法拉第屏蔽和等离子体晶片处理

摘要

保护介电窗免受导电淀积的淀积挡板(30)设置在高密度等离子体装置中，它具有其中有部件(34)的缝隙(31)，可从空间上分布通过挡板传输的RF功率密度。部件形成跨越挡板面向等离子体侧缝隙边界、远离线圈通过其耦合RF功率的窗的接点和电流路径，从而使与感应耦合的干扰最小。跨越挡板等离子体侧的缝隙(31)的桥提高通过挡板的磁通分布。在挡板线圈侧、在缝隙中且平行于缝隙、但由挡板等离子体侧的接点支撑的刀片(37)减少缝隙中等离子体的形成，并防止从缝隙边界材料再溅射。在利用淀积挡板的等离子体源中，在高达20毫乇的压力范围内、利用至少300瓦、但小于600瓦的RF功率和靶上或其它电极上在几秒周期内从0瓦到不大于20瓦的斜升DC功率的组合、在低功率水平激励等离子体。

主权项

1.一种淀积挡板，用于保护等离子体处理腔室中的介电窗，同时有助于将RF能量从介电窗外侧的线圈通过介电窗和淀积挡板感应耦合到所述等离子体处理腔室内的等离子体中，所述淀积挡板包括：本体，所述本体是导电的、并具有窗侧和等离子体侧；本体具有在其两侧之间延伸穿过的多个缝隙；所述多个缝隙具有由本体的表面限定的壁，并且所述壁阻挡在所述等离子体处理腔室中从本体的等离子体侧到本体的介电窗侧移动的粒子穿过本体的直线路径；所述多个缝隙分别具有位于其中的结构部件，结构部件固定到本体上；以及结构部件具有分布在淀积挡板上的与本体的接点，以便在不降低经过淀积挡板将RF能量从介电窗外侧的线圈感应耦合到所述等离子体处理腔室内的等离子体中的效率的情况下均匀分布通过挡板耦合到等离子体中的功率。