半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置，存储单元阵列(1)构成为至少分割为多列的子阵列(2)，子阵列(2)两端的存储单元列，在夹持子阵列(2)间的边界且沿行方向相邻的2个上述存储单元之间，第2电极之间不连接而进行分离，与分别独立的位线或虚拟接地线连接，以子阵列单位，分别选择1条字线、位线与虚拟接地线，从而选择1个读出对象的存储单元。这样，在使用了虚拟接地线的存储单元阵列构成中，可以防止从非选择的位线等迂回并注入到已被选择的位线上的电流所导致的读出动作余量的下降。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备将具有1个第1电极和1对第2电极并根据所述第1电极的电位利用所述第2电极间的导通状态可读出存储内容的存储单元，沿行及列方向呈矩阵状排列的存储单元阵列；所述存储单元阵列构成为：将处于同一行的所述存储单元的所述第1电极分别与共同的字线连接，在行方向相邻的2个所述存储单元间将1个所述第2电极相互连接，将处于同一列的所述存储单元的一个所述第2电极与共同的位线连接，将处于同一列的所述存储单元的另一个所述第2电极与共同的虚拟接地线连接，并且分割为至少多列的子阵列；所述子阵列两端的存储单元列，在夹持所述子阵列间的边界且在行方向相邻的2个所述存储单元之间，所述第2电极之间不连接而相互分离，并分别与独立的位线或虚拟接地线连接；以所述子阵列单位，分别选择各1条所述字线、所述位线与所述虚拟接地线，从而选择1个读出对象的存储单元；按照所述子阵列的每一列，所述位线通过第1选择晶体管连接在沿共同的列方向延伸的全局位线上，所述虚拟接地线通过第2选择晶体管连接在沿共同的列方向延伸的全局虚拟接地线上；还具备为了进行读出动作，对所述子阵列的所述位线的一部分或全部供给给定充电电位的充电电路；在每个所述子阵列中，所述位线通过第1选择晶体管与共同的全局位线连接，所述虚拟接地线通过第2选择晶体管与共同的全局虚拟接地线连接；所述充电电路通过所述全局位线与所述全局虚拟接地线，对充电对象的所述位线与所述虚拟接地线进行充电。