制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造快闪存储器件的方法。依据本发明，根据图案密度分开实施沟槽形成工艺及壁氧化物膜形成工艺，并以不同厚度形成壁氧化物膜。因此，可防止壁氧化工艺中因隧道氧化物膜的微笑现象所造成的壁氧化物膜的厚度的增加，并因而可改善器件的可靠度。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，包括步骤：在半导体衬底上顺序形成隧道氧化物膜、多晶硅膜及硬掩模膜，其中在该半导体衬底中界定有图案密度粗略的第一区域和图案密度紧密的第二区域；蚀刻该第一区域中的该硬掩模膜、该多晶硅膜及该隧道氧化物膜的一预定区域，然后以一给定深度蚀刻该半导体衬底，从而形成第一沟槽；在该第一沟槽内形成第一壁氧化物膜；在整个表面上形成第一绝缘膜，从而掩埋该第一沟槽；蚀刻该第二区域中的该硬掩模膜、该多晶硅膜及该隧道氧化物膜的一预定区域，然后以一给定深度蚀刻该半导体衬底，从而形成第二沟槽；在该第二沟槽内形成第二壁氧化物膜；在整个表面上形成第二绝缘膜，从而掩埋该第二沟槽；以及抛光该第一和第二绝缘膜，然后去除该硬掩模膜，其中该第一和第二壁氧化物膜根据图案密度以不同厚度形成，且其中该第一壁氧化物膜形成为比该第二壁氧化物膜厚。