发明名称 |
熔体直接发泡制备泡沫镁的方法 |
摘要 |
本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域,特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法,包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金,将镁合金加热至700~730℃温度下熔化,加入占镁合金质量5~30%的碳化硅颗粒,然后降至550℃~650℃的温度,再加入占镁合金和碳化硅总质量2~20%的碳酸镁粉,碳酸镁粉高速搅拌时间为1~10分钟,发泡温度为550℃~650℃,发泡结束后移出发泡炉,冷却降温,切割成材。本发明工艺条件稳定,操作控制准确,制出的泡沫镁产品孔径均匀,可生产不同密度,不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单,适合于较大规模工业生产。 |
申请公布号 |
CN100439525C |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200510047728.0 |
申请日期 |
2005.11.16 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
杨院生;周全;李处森;童文辉;张宇男;胡壮麒 |
分类号 |
C22C1/08(2006.01);C22C23/00(2006.01) |
主分类号 |
C22C1/08(2006.01) |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
1、一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法,其特征在于:镁合金为镁-铝-钙合金,按质量百分比计,以镁、铝比为80-91%∶20-9%制取镁铝合金,然后加入占镁铝合金质量的1~5%的金属钙,制得镁-铝-钙合金;将镁合金加热至700~730℃温度下熔化,加入占镁合金质量5~30%碳化硅增粘剂,然后降至550~650℃的温度,再加入占镁合金和碳化硅总质量的2~20%的碳酸镁粉,并搅拌均匀;将搅拌后的熔体倾入发泡槽,并送入发泡炉内发泡,发泡温度为550~650℃;发泡结束后,将发泡槽移出发泡炉,进行冷却降温,取出发泡体,切割成材。 |
地址 |
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |