| 发明名称 | 氧化铟类透明导电膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低电阻、透明性优良的、非晶态的、利用弱酸蚀刻可容易制作布线图案的，并且可以比较容易结晶化的透明导电膜及其制造方法。该透明导电膜是采用具有含有氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡的氧化物烧结体的溅射靶成膜的透明导电膜，含氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡。 | ||
| 申请公布号 | CN101317237A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200780000386.4 | 申请日期 | 2007.04.02 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 高桥诚一郎;宫下德彦 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01);C04B35/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01B13/00(2006.01) | 主分类号 | H01B5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.一种透明导电膜，其是采用具有氧化物烧结体的贱射靶成膜的透明导电膜，该氧化物烧结体含有氧化铟并根据需要含有锡、同时含有钡，其特征在于，含有氧化铟并根据需要含有锡、同时含有钡。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||