提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法

摘要

本发明公开了一种提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法，该方法包括：(1)沟槽刻蚀采用90度刻蚀工艺；(2)第一层多晶硅的淀积和刻蚀工艺为：先生长不掺杂的多晶硅，后对该多晶硅进行掺杂，最后刻蚀掺杂后的多晶硅。根据本发明的方法步骤制备的功率MOS器件，两层多晶硅之间的击穿电压得到很大的提高，并且器件的电性能的均匀性也可以得到大幅度提高，可广泛应用于沟槽型双层栅功率MOS器件的制备中。

主权项

1、一种提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法，该功率MOS器件制备工艺包括沟槽刻蚀、第一层多晶硅的淀积和刻蚀、高密度等离子体氧化膜的淀积和刻蚀、栅氧生长、第二层多晶硅的生长和刻蚀、及沟道体、源区、接触孔、金属层、钝化层形成，其特征在于：(1)所述沟槽为90度沟槽；(2)所述第一层多晶硅的淀积和刻蚀工艺为：先淀积不掺杂的多晶硅，后对所述不掺杂的多晶硅进行磷掺杂，最后刻蚀掺杂后的多晶硅。