发明名称 |
掩模版及使用掩模版调式光刻机套刻精度的匹配方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于光刻制程的掩模版以及使用该掩模版调式光刻机的套刻精度的匹配方法,涉及半导体领域。本发明提供的掩模版上具有两种或两种以上不同类型的对准标记。使用该掩模版的光刻机具有与掩模版对准标记相匹配的对准系统模块及补正对准系统控制模块,调式套刻精度时,根据测试晶圆的对准标记,启动与晶圆对准标记相匹配的对准系统模块,与掩模版上相匹配的对准标记对齐,进行光刻步骤,对光刻图形进行匹配测试,若套刻精度不符合规格,调整补正对准系统控制模块的数据,循环进行匹配测试,直至套刻精度符合规格。与现有技术相比,本发明有效地缩短调试时间,提高产品的成品率。 |
申请公布号 |
CN101315514A |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200710041576.2 |
申请日期 |
2007.06.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
朱文渊;杨晓松 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
1、一种掩模版,其特征在于,该掩模版具有至少两种不同类型的对准标记,不同类型的对准标记分别与不同的对准系统相匹配。 |
地址 |
201203上海市张江路18号 |