| 发明名称 | 一种薄膜晶体管充电沟道结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管充电沟道结构，包括：源极、漏极和沟道区；源极连接有一源极扩展区；漏极连接有一漏极扩展区；源极扩展区和漏极扩展区相对设置，形成一扩展沟道区。其中源极扩展区和漏极扩展区均处于栅极扫描线或栅电极、和半导体层之上，并与之交叠；源极及沟道区呈U型结构；扩展沟道区呈一字形状、锯齿状或波纹状。本发明通过扩展沟道区来增大沟道的宽长比(W/L)以达到增大TFT像素区的充电电流大小的目的，从而能够有效地避免亮点，灰度不均匀等现实不良。 | ||
| 申请公布号 | CN101315950A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200710099777.8 | 申请日期 | 2007.05.30 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 李欣欣;王威;龙春平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管充电沟道结构，包括：源极、漏极和沟道区，其特征在于：所述源极连接有一源极扩展区，所述漏极连接有一漏极扩展区，源极扩展区和漏极扩展区相对设置，形成一扩展沟道区。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||