发明名称 |
等离子处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种等离子处理装置,具有处理空间、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管;该处理空间的顶部有开口,内部可被抽真空;该载置台设置在上述处理空间内,用于载置被处理体;该顶板气密地安装在上述顶部的开口处,由透过微波的电介体形成;该平面天线构件设置在上述顶板的上表面,用于向上述处理空间内导入微波;该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体,用于供给微波;其特征在于,以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路,在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。 |
申请公布号 |
CN101316946A |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200680044543.7 |
申请日期 |
2006.11.15 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
田才忠;西哲也;野泽俊久 |
分类号 |
C23C16/511(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H05H1/46(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/511(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
1.一种等离子处理装置,具有处理空间、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管;该处理空间的顶部有开口,内部可被抽真空;该载置台设置在上述处理空间内,用于载置被处理体;该顶板气密地安装在上述顶部的开口处,由透过微波的电介体形成;该平面天线构件设置在上述顶板的上表面,用于向上述处理空间内导入微波;该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体,用于供给微波;其特征在于,以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路,在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。 |
地址 |
日本东京都 |