| 发明名称 | 高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其中，将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。本发明采用逐渐降低输入功率的方法沉积本征微晶硅薄膜，达到控制本征微晶硅薄膜纵向微结构演变和提高微结构致密性，从而提高高速沉积微晶硅太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101315958A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810053846.6 | 申请日期 | 2008.07.15 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 耿新华;韩晓艳;侯国付;张晓丹;张德坤;魏长春;孙建;赵颖;薛俊明;张建军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 侯力 |
| 主权项 | 1、一种高速沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，用于硅基薄膜太阳电池，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其特征在于：将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，所述每个时间段控制在5～20分钟，所述每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。 | ||
| 地址 | 300071天津市南开区卫津路94号 | ||