发明名称 |
霍尔型离子源 |
摘要 |
本实用新型公开了一种离子源,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,及将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中,由高导热材料制成的阳极被由电、气、冷却介质引入组件所引入的冷却介质进行直接冷却,且阳极表面采用导电薄膜进行改性;阳极采取严格屏蔽方式且屏蔽间隙小于暗区距离;由金属玻纹管或其他密封结构将用于引入电、气、冷却介质的管线引入真空室,防止异常放电;本实用新型的屏蔽外壳可悬浮或被施加不同电位,以控制屏蔽外壳对离子的吸收数量,改善离子束的分布状态。本实用新型可以克服阳极污染、暗区放电的缺点,提高了离子源的使用效率,能有效执行工件镀前处理和镀膜过程的离子束辅助作用。 |
申请公布号 |
CN201160064Y |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200620137860.0 |
申请日期 |
2006.09.28 |
申请人 |
北京镨玛时代科技有限公司 |
发明人 |
杨东升;王琼先;叶军;何欣 |
分类号 |
H01J27/02(2006.01);H01J37/08(2006.01);C23C14/46(2006.01) |
主分类号 |
H01J27/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种霍尔型离子源,其特征在于,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,以及用于将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中由高导热材料制成的所述阳极与所述电、气冷却介质引入组件直接相连,且所述阳极表面已采用导电薄膜进行改性。 |
地址 |
102206北京市大兴区工业开发区金苑路2号奥宇大厦东配楼2层208室 |