| 发明名称 | 多晶MgO蒸镀材料 | ||
| 摘要 | 在含有MgO纯度为99.9％以上、且相对密度为90％以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中，多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上，小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料，其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性，得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏，并且不降低屏幕的辉度，大幅度减少地址IC数。 | ||
| 申请公布号 | CN100439555C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200380101029.9 | 申请日期 | 2003.10.09 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔株式会社;LG电子株式会社 | 发明人 | 樱井英章;丰口银二郎;黑光祥郎;E－C·帕克 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01);H01J11/02(2006.01) | 主分类号 | C23C14/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭煜;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种多晶MgO蒸镀材料，其用于等离子体显示屏的保护膜，其中，含有MgO纯度为99.9％以上、且相对密度为90％以上的多晶MgO的烧结颗粒，在前述多晶MgO蒸镀材料中含有的Si浓度为220～480ppm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||