| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，用于钝化的氮化物层被作为微透镜以减小布局。CMOS图像传感器包括：上部金属层，部分沉积于介电层上；第一氮化物层，沉积于上部金属层上；无掺杂的硅酸盐玻璃层，沉积于第一氮化物层上，并通过化学-机械抛光被抛光；滤色器阵列元件，沉积并暴露于无掺杂的硅酸盐玻璃层上，并通过化学-机械抛光被抛光；以及第二氮化物层，沉积于第一氮化物层和滤色器阵列元件上，并在第二氮化物层上形成牺牲微透镜之后被转移蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN100440524C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200510097118.1 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：上部金属层，部分沉积于介电层上；第一氮化物层，沉积于所述上部金属层上；无掺杂的硅玻璃层，沉积于所述第一氮化物层上，并通过化学-机械抛光被抛光；滤色器阵列元件，沉积并暴露于所述无掺杂的硅酸盐玻璃层上，并通过化学-机械抛光被抛光；以及第二氮化物层，沉积于所述第一氮化物层和所述滤色器阵列元件上，并在所述第二氮化物层上形成牺牲微透镜之后利用所述牺牲微透镜使所述第二氮化物层被转移蚀刻。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||