发明名称 一种真空镀膜的加热基片架
摘要 本实用新型涉及制备种类薄膜的设备,具体地说是一种用于承载基片的真空镀膜的加热基片架,包括蒸发源、传动组件、支撑组件及步进电机磁力转轴,步进电机磁力转轴安装在支撑组件上,蒸发源设置在传动组件上、并通过传动组件与步进电机磁力转轴连动。本实用新型的基片在镀膜过程中可旋转,提高了镀膜的均匀性,保证了膜层质量;靶材和基片之间的距离可以调节,针对不同的膜材可以选择不同的距离,从而扩大了靶材的选择范围,提高了镀膜效率;蒸发源的炉盘结构简单,很好地突破了电阻丝难以固定和束缚的难点,避免电阻丝因受热变形而脱开炉盘造成短路,延长了蒸发源的使用寿命,提高了蒸发源的可靠性;基片挡板对基片起到防护作用,屏蔽了污染。
申请公布号 CN201158704Y 申请公布日期 2008.12.03
申请号 CN200820010150.0 申请日期 2008.01.11
申请人 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 发明人 王云琴;赵科新;郭东民;赵崇凌;张冬;李重茂;徐宝利;高树爱;吕鑫淼;赵长存
分类号 C23C14/50(2006.01) 主分类号 C23C14/50(2006.01)
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人 许宗富;周秀梅
主权项 1.一种真空镀膜的加热基片架,其特征在于:包括蒸发源(2)、传动组件、支撑组件及步进电机磁力转轴(13),步进电机磁力转轴(13)安装在支撑组件上,蒸发源(2)设置在传动组件上、并通过传动组件与步进电机磁力转轴(13)连动。
地址 110168辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号