| 发明名称 | 用于制造具有金属栅电极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在所述电介质层第一部分上形成第一金属层，使所述电介质层的第二部分暴露。在所述第一金属层和所述电介质层的所述第二部分上都形成了第二金属层之后，在所述第二金属层上形成掩蔽层。 | ||
| 申请公布号 | CN100440439C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200480040022.5 | 申请日期 | 2004.10.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 贾斯廷·布拉斯克;马克·多克兹;杰克·卡瓦莱厄斯;尤黛·沙赫;马修·梅茨;罗伯特·乔;小罗伯特·特考特 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成电介质层；在所述电介质层的第一部分上形成第一金属层，使所述电介质层的第二部分暴露；在所述第一金属层上和所述电介质层的所述第二部分上形成第二金属层；并且随后在所述第二金属层上形成掩蔽层，所述掩蔽层构成栅电极的一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||