发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 提供一种高性能、高可靠性半导体器件及其低成本、高效的制造方法,在该半导体器件中,在用于将半导体芯片安装(例如倒装芯片安装)在衬底上的粘合剂中具有较少气泡。本发明的半导体器件(10)包括:半导体芯片(11),具有多个电极焊盘(12);和衬底(14),在与电极焊盘(12)相对应的位置具有多个电极端子(15)。均由基部(13A)和直径小于基部(13A)的突起部(13B)构成的多个凸点(13)形成在至少所述电极焊盘(12)中的一个电极焊盘上,且在同一个电极焊盘上的各相邻凸点的各基部相互接触,以及在将凸点(13)与电极端子(15)电连接的状态下,用粘合剂(17)将半导体芯片(11)与衬底(14)接合。
申请公布号 CN100440494C 申请公布日期 2008.12.03
申请号 CN200610107997.6 申请日期 2006.08.02
申请人 富士通株式会社 发明人 西村隆雄
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张龙哺
主权项 1.一种半导体器件,包括半导体芯片,其上设置有多个电极焊盘;和衬底,其在与所述电极焊盘相对应的位置具有多个电极端子,其中,均由基部和突起部构成的多个凸点形成在所述电极焊盘中的至少一个电极焊盘上且在同一个电极焊盘上的各相邻凸点的各基部互相接触,所述突起部的直径小于所述基部的直径,以及在所述凸点电连接到所述电极端子的状态下,所述半导体芯片利用粘合剂接合到所述衬底。
地址 日本神奈川县川崎市