| 发明名称 | 半导体光发射装置以及一种装置 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。 | ||
| 申请公布号 | CN100440557C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200610159296.7 | 申请日期 | 2002.10.03 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;索尼株式会社 | 发明人 | 朝妻庸纪;冨谷茂隆;玉村好司;东条刚;后藤修;元木健作 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L29/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光装置，通过以下制造：在氮化物III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构的氮化物III-V化合物半导体层，其中在所述半导体衬底中，多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域规则地排列在由晶体制成并且具有所述第一平均位错密度的第一区域中；以及沿着包括至少两个相邻的第二区域的边界线分割具有生长在其上的所述氮化物III-V化合物半导体层的所述氮化物III-V化合物半导体衬底。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||