发明名称 | 超分辨率信息存储介质 | ||
摘要 | 一种超分辨率信息存储介质,包括:基底;第一超分辨率层,形成在基底之上;第二超分辨率层,形成在第一超分辨率层之上;和插入层,设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。 | ||
申请公布号 | CN100440346C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
申请号 | CN200480035523.4 | 申请日期 | 2004.11.30 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金铉基;金朱镐;黄仁吾;尹斗燮 |
分类号 | G11B7/24(2006.01) | 主分类号 | G11B7/24(2006.01) |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李云霞 |
主权项 | 1、一种信息存储介质,在所述信息存储介质中,信息被记录在大小小于入射光束的分辨能力的记录标记中或者信息从所述记录标记被再现,所述信息存储介质包括:基底;第一绝缘层,形成在所述基底之上;第一吸热层,形成在所述第一绝缘层之上并且通过入射光束而变形;第二绝缘层,形成在所述第一吸热层之上;第一超分辨率层,形成在所述第二绝缘层之上并且包括入射光束所照射到的部分,并且所述第一超分辨率层具有被改变以便发生超分辨率现象的第一光学特性;第二超分辨率层,形成在所述第一超分辨率层之上并且包括入射光束所照射到的部分,并且所述第二超分辨率层具有被改变以便发生超分辨率现象的第二光学特性;插入层,设置在所述第一超分辨率层和所述第二超分辨率层之间;和第三绝缘层,设置在所述第二超分辨率层之上。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |