| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，制造该半导体器件包括如下步骤：形成延伸穿过第一绝缘膜和绝缘中间层的孔，其中，第一绝缘膜和绝缘中间层堆叠在半导体衬底上方，允许孔的内壁的侧蚀刻具体地在绝缘中间层的一部分中进行，从而形成使第一绝缘膜从孔的边缘朝向中心突出的结构；形成下电极膜，该下电极膜在第一绝缘膜的顶表面、侧面和后表面的上方及孔的内壁和底表面的上方延伸；在孔中填充保护膜；去除具体地落在第一绝缘膜的顶表面和侧面的部分中的下电极膜；去除保护膜；以及在孔中形成圆柱电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN101315905A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810108448.X | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 窪田亮;长井信孝;仓智司 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方，依次堆叠绝缘中间层和第一绝缘膜；依次选择性地去除所述第一绝缘膜和所述绝缘中间层，从而形成延伸穿过所述第一绝缘膜和所述绝缘中间层的孔；允许所述孔的内壁的侧蚀刻具体地在所述绝缘中间层的一部分中进行，从而形成使所述第一绝缘膜从所述孔的边缘朝向中心突出的结构；形成下电极膜，所述下电极膜在所述第一绝缘膜的顶表面、侧面和后表面的上方及所述孔的内壁和底表面的上方延伸；在所述孔中填充保护膜；去除具体地落在所述第一绝缘膜的顶表面和侧面上的部分中的所述下电极膜；去除所述保护膜；以及在所述孔中和所述下电极膜的上方依次堆叠电容器绝缘膜和上电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||