| 发明名称 | 电阻随机存取存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。 | ||
| 申请公布号 | CN101315942A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810108832.X | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌范;朴永洙;鲜于文旭;姜保守;安承彦 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 1、一种电阻随机存取存储器装置，包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||