发明名称 |
砷化镓晶体生长用热场装置 |
摘要 |
一种砷化镓晶体生长用热场装置,包括坩埚加热器和保温装置,在加热器的外围设置保温装置,在坩埚口部上方装有观测棒,所述的加热器包括底部加热器、下加热器、上加热器和顶加热器,所述的底部加热器为盘状,装于坩埚底部;所述的下加热器和上部加热器均为圆筒状,分别装于坩埚下部和上部的周围;所述的后加热器为直径小于所述的坩埚的筒状,装于坩埚的顶部上方。其优点是:能够提供相对稳定的生长砷化镓晶体所需要的温度场,具有适当的温度梯度,特别设置的顶加热器装置可以对生长出的砷化镓单晶直接进行高温退火。结构简单,方便宜行,操作容易。能够很容易的快速生长出大直径(100mm~150mm)、低位错密度的砷化镓单晶。 |
申请公布号 |
CN201158722Y |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200820004406.7 |
申请日期 |
2008.01.30 |
申请人 |
大庆佳昌科技有限公司 |
发明人 |
孙士臻;贾宝申;张洪宝 |
分类号 |
C30B15/14(2006.01);C30B29/42(2006.01) |
主分类号 |
C30B15/14(2006.01) |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙皓晨;滑春生 |
主权项 |
1、一种砷化镓晶体生长用热场装置,包括坩埚(12)加热器和保温装置,在加热器的外围设置保温装置,在坩埚(12)口部上方装有观测棒(15),其特征在于:所述的加热器包括底部加热器(1)、下加热器(2)、上加热器(3)和顶加热器(4),所述的底部加热器(1)为盘状,装于坩埚底部;所述的下加热器(2)和上部加热器(3)均为圆筒状,分别装于坩埚下部和上部的周围;所述的后加热器(4)为直径小于所述的坩埚的筒状,装于坩埚的顶部上方;在所述的底部加热器(1)、下加热器(2)、上加热器(3)和顶加热器(4)旁分别装有温度传感器。 |
地址 |
163316黑龙江省大庆市高新区创业中心A座322室 |